Что (кто) такое Жидкие полупроводники - определение

Собственные полупроводники

Жидкие полупроводники

вещества, обладающие в жидком состоянии свойствами полупроводников (См. Полупроводники). Плавление многих твёрдых полупроводников (Si, Ge и др.) сопровождается резким увеличением электропроводности до значений, типичных для металлов (См. Металлы). Однако для некоторых полупроводников характерно уменьшение электропроводности при плавлении (HgSe) или сохранение малой электропроводности (Sb₂, Se₃ и др.). В жидком состоянии у них сохраняется полупроводниковый характер температурной зависимости электропроводности. Существует ряд Ж. п., которые при повышении температуры теряют полупроводниковые свойства и приобретают металлические. Например, сплавы Te - Se в твёрдом состоянии и при плавлении - полупроводники. При дальнейшем нагреве жидких сплавов Te - Se, богатых Te, их электропроводность быстро увеличивается и они становятся металлами. Сплавы же, богатые Se, ведут себя противоположно - их электропроводность уменьшается, а зависимость от температуры имеет типично полупроводниковый характер.

Лит.: Фишер И. З., О подвижности электронов и дырок в жидком полупроводнике, "Докл. АН СССР", 1957, т. 117, № 3; Вопросы теории и исследования полупроводников и процессов полупроводниковой металлургии, М., 1955, с. 12-24; Губанов А. И., Квантово-электронная теория аморфных проводников, М., 1963; Мотт Н., Электроны в неупорядоченных структурах, пер. с англ., М., 1969; Алексеев В. А., Андреев А. А., Прохоренко В. Я., Электрические свойства жидких металлов и жидких полупроводников, "Успехи физических наук", 1972, т. 106, в. 3.

Собственный полупроводник

Собственный полупроводник или полупроводник i-типа или нелегированный полупроводник ( — собственный) — это чистый полупроводник, содержание посторонних примесей в котором не превышает 10−8 … 10−9%. Концентрация дырок в нём всегда равна концентрации свободных электронов, так как она определяется не легированием, а собственными свойствами материала, а именно термически возбуждёнными носителями, излучением и собственными дефектами. Технология позволяет получать материалы с высокой степенью очистки, среди которых можно выделить непрямозонные полупро

https://ru.wikipedia.org/wiki/Собственный_полупроводник

РАДИОАКТИВНЫЕ ОТХОДЫ

ОТХОДЫ, СОДЕРЖАЩИЕ РАДИОАКТИВНЫЕ ИЗОТОПЫ ХИМИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ И НЕ ПОДЛЕЖАЩИЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЮ, В ОТЛИЧИЕ ОТ ОТРАБОТАВШЕГО ЯДЕРНОГО ТОПЛИВА

Жидкие радиоактивные отходы; ЖРО; ЖРАО; Хранение радиоактивных отходов; Захоронение радиоактивных отходов; Ядерные отходы; Ядерный могильник

различные материалы и изделия, биологические объекты и т. п., которые содержат радионуклиды в высокой концентрации и не подлежат дальнейшему использованию. Наиболее радиоактивные отходы - отработанное ядерное топливо - перед переработкой выдерживают во временных хранилищах (как правило, с принудительным охлаждением) от нескольких суток до десятков лет с целью уменьшения активности. Нарушение режима хранения может иметь катастрофические последствия. Газообразные и жидкие радиоактивные отходы, очищенные от высокоактивных примесей, сбрасывают в атмосферу или водоемы. Высокоактивные жидкие радиоактивные отходы хранят в виде солевых концентратов в специальных резервуарах в поверхностных слоях земли, выше уровня грунтовых вод. Твердые радиоактивные отходы цементируют, битумируют, остекловывают и т. п. и захоранивают в контейнерах из нержавеющей стали: на десятки лет - в траншеях и других неглубоких инженерных сооружениях, на сотни лет - в подземных выработках, соляных пластах, на дне океанов. Для радиоактивных отходов надежных, абсолютно безопасных способов захоронения до настоящего времени нет из-за коррозионного разрушения контейнеров.

Википедия

Собственный полупроводник

Собственный полупроводник или полупроводник i-типа или нелегированный полупроводник (англ. intrinsic — собственный) — это чистый полупроводник, содержание посторонних примесей в котором не превышает 10⁻⁸ … 10⁻⁹%. Концентрация дырок в нём всегда равна концентрации свободных электронов, так как она определяется не легированием, а собственными свойствами материала, а именно термически возбуждёнными носителями, излучением и собственными дефектами. Технология позволяет получать материалы с высокой степенью очистки, среди которых можно выделить непрямозонные полупроводники: Si (при комнатной температуре количество носителей n_i=p_i=1,4·10¹⁰ см⁻³), Ge (при комнатной температуре количество носителей n_i=p_i=2,5·10¹³ см⁻³) и прямозонный GaAs.

Полупроводник без примесей обладает собственной электропроводностью, которая имеет два вклада: электронный и дырочный. Если к полупроводнику не приложено напряжение, то электроны и дырки совершают тепловое движение и суммарный ток равен нулю. При приложении напряжения в полупроводнике возникает электрическое поле, которое приводит к возникновению тока, называемого дрейфовым током i_др. Полный дрейфовый ток является суммой двух вкладов из электронного и дырочного токов:

i_др= i_n+ i_p,

где индекс n соответствует электронному вкладу, а p — дырочному. Удельное сопротивление полупроводника зависит от концентрации носителей и от их подвижности, как следует из простейшей модели Друде. В полупроводниках при повышении температуры вследствие генерации электрон-дырочных пар концентрация электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне увеличивается значительно быстрее, нежели уменьшается их подвижность, поэтому с повышением температуры проводимость растет. Процесс гибели электрон-дырочных пар называется рекомбинацией. Фактически проводимость собственного полупроводника сопровождается процессами рекомбинации и генерации и если скорости их равны, то говорят что полупроводник находится в равновесном состоянии. Количество термически возбуждённых носителей зависит от ширины запрещённой зоны, поэтому количество носителей тока в собственных полупроводниках мало по сравнению с легированными полупроводниками и сопротивление их значительно выше.

https://ru.wikipedia.org/wiki/Собственный полупроводник